產(chǎn)品簡(jiǎn)介： VTC-600-2HD 雙靶磁控濺射儀是我公司自主新研制開(kāi)發(fā)的一款高真空鍍膜設(shè)備，可用于制備單 層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、  硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600-2HD 雙靶磁控濺射儀配備有兩個(gè)靶槍，一個(gè)弱磁靶用于非導(dǎo)電材 料的濺射鍍膜，一個(gè)強(qiáng)磁靶用于鐵磁性材料的濺射鍍膜。與同類設(shè)備相比，且具有體積小便于操作的優(yōu)點(diǎn)， 且可使用的材料范圍廣，是一款實(shí)驗(yàn)室制備各類材料薄膜的理想設(shè)備。

直流濺射,又稱陰極濺射或二極濺射

濺射條件： 工作氣壓 10pa 左右， 濺射電壓 3000V ，靶電流密度 0.5mA/cm2,薄膜沉積速率低于 0.1m/min。

工作原理： 先讓惰性氣體（通常為 Ar 氣） 產(chǎn)生輝光放電現(xiàn)象產(chǎn)生帶電的離子； 帶電離子緊電場(chǎng)加速撞擊靶 材表面， 使靶材原子被轟擊而飛出來(lái)， 同時(shí)產(chǎn)生二次電子， 再次撞擊氣體原子從而形成更多的帶電離子； 靶材原子攜帶著足夠的動(dòng)能到達(dá)被鍍物（襯底） 的表面進(jìn)行沉積。隨著氣壓的變化， 濺射法薄膜沉積速率 將出現(xiàn)一個(gè)極大值， 但氣壓很低的條件下， 電子的自由程較長(zhǎng)， 電子在陰極上消失的幾率較大， 通過(guò)碰撞 過(guò)程引起氣體分子電離的幾率較低， 離子在陽(yáng)極上濺射的同時(shí)發(fā)射出二次電子的幾率又由于氣壓較低而相 對(duì)較小， 這些均導(dǎo)致低氣壓條件下濺射的速率很低。 在壓力 1Pa 時(shí)甚至不易維持自持放電！ 隨著氣壓的升 高，電子的平均自由程減小，原子的電離幾率增加，濺射電流增加，濺射速率增加。

適宜濺射靶材種類為不易氧化的輕金屬,如 Au,Ag,Pt等

射頻濺射是利用射頻放電等離子體中的正離子轟擊靶材、濺射出靶材原子從而沉積在接地的基板表面的技 術(shù)。

工作條件： 射頻濺射可以在 1Pa 左右的低壓下進(jìn)行， 濺射電壓 1000V ，靶電流密度 1.0 mA/cm2，薄膜沉積 速率 0.5m/min。

工作原理： 人們將直流電源換成交流電源。由于交流電源的正負(fù)性發(fā)生周期交替，當(dāng)濺射靶處于正半周時(shí)， 電子流向靶面， 中和其表面積累的正電荷， 并且積累電子， 使其表面呈現(xiàn)負(fù)偏壓， 導(dǎo)致在射頻電壓的負(fù)半 周期時(shí)吸引正離子轟擊靶材， 從而實(shí)現(xiàn)濺射。由于離子比電子質(zhì)量大， 遷移率小， 不像電子那樣很快地向 靶表面集中， 所以靶表面的點(diǎn)位上升緩慢， 由于在靶上會(huì)形成負(fù)偏壓， 所以射頻濺射裝置也可以濺射導(dǎo)體 靶。在射頻濺射裝置中， 等離子體中的電子容易在射頻場(chǎng)中吸收能量并在電場(chǎng)內(nèi)振蕩， 因此， 電子與工作

氣體分子碰撞并使之電離產(chǎn)生離子的概率變大，故使得擊穿電壓、放電電壓及工作氣壓顯著降低。

優(yōu)點(diǎn)： 1、可在低氣壓下進(jìn)行，濺射速率高。

2、不僅可濺射金屬靶，也可濺射絕緣靶，可以把導(dǎo)體，半導(dǎo)體，絕緣體中的任意材料薄膜化。

3、必須十分注意接地問(wèn)題。

適宜濺射的靶材種類為各種類型的固體靶材,金屬,半導(dǎo)體,絕緣體靶材均可濺射,尤為適用于易產(chǎn)生氧化絕緣

層的靶材.如 Al,Ti,Mg 等金屬以及 TiQ2,ZnO 等氧化物靶材.